碳化硅（SiC）以单一化学式（SiC）跨越两大领域——陶瓷与半导体，展现出截然不同的材料特性。作为陶瓷级材料，它以高硬度、耐高温和耐腐蚀性成为工业基石，支撑磨具、耐火材料及耐磨部件；而半导体级碳化硅则凭借宽禁带、高击穿电场等特性，驱动电力电子、5G通信及新能源汽车的能效跃升。两者虽同源，却因原料纯度、晶体结构与制备工艺的差异，在极端环境与精密电子中各展所长，共同推动现代科技与工业的革新。 >
高纯碳化硅（SiC）陶瓷因其优异的热稳定性、机械强度及化学惰性，在半导体、航空航天等领域具有重要应用价值。本文系统综述了高纯SiC陶瓷的主要制备技术，包括重结晶烧结、常压烧结、热压烧结、放电等离子烧结及增材制造等，重点分析了各工艺的致密化机制、关键参数及性能特点，并探讨了未来发展方向，以期为高性能SiC陶瓷的研发与应用提供参考。>
碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料的代表，具有宽禁带、高击穿场强、高热导率等优异特性，在高温、高频、大功率器件领域展现出不可替代的优势。其晶体结构包含4H、6H等多种晶型，其中4H-SiC因其卓越的电子迁移率成为功率器件的主流衬底材料。通过物理气相传输（PVT）等制备技术，可获得满足电力电子、射频通信、新能源汽车等领域需求的高质量单晶衬底，为新一代半导体器件的发展提供关键材料支撑。 >
精密陶瓷部件通过其优异的物理化学性能，为半导体制造设备提供了可靠的性能保障。随着半导体技术节点的不断推进，对陶瓷部件的性能要求也将持续提高，这将进一步推动先进陶瓷材料与制造技术的发展。>
石英应力是热力学、材料学与力学的综合作用结果。通过优化退火工艺（如阶梯式冷却）、引入应力缓冲层（如中间层镀膜）、提升原料纯度（羟基含量<5ppm）等手段，可有效控制应力水平。在半导体设备等高端领域，需结合在线应力监测系统实现全生命周期管理。>
摘要 激光加工技术的效能提升高度依赖光学系统的精准聚焦能力，但传统透镜在强激光辐照下因热积累导致的性能退化问题长期制约其应用。针对这一挑战，西湖大学仇旻团队开发的>
本研究系统考察了热交换法生长的蓝宝石晶体在宽温域(298～1773 K)内的热学性能。采用高精度测试设备，获得了晶体三个主要晶向的热膨胀系数、比热容、热扩散系数及热导率等关键参数。>
自20世纪80年代以来，电子元器件的集成度以每年1.5倍以上的速度持续增长。随着集成电路集成度的不断提高，芯片工作过程中产生的热量急剧增加。如果不能及时散热，将导致元器件热失效并显著缩短使用寿命。因此，开发具有优异导热性能的新型电子封装材料成为当务之急。>
近年来，碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料的代表，在电动汽车、工业电源等领域大放异彩。然而，其应用远不止于此——随着增强现实（AR）技术的快速发展，SiC凭借独特的材料特性，正成为全彩光波导技术的核心材料，为AR眼镜的轻量化、高亮度和广视场角提供关键解决方案。>
在宽禁带半导体材料领域，碳化硅（SiC）晶体的质量直接影响着功率器件的性能表现。为实现高品质SiC晶体的制备，必须建立完善的缺陷评估体系，这涉及籽晶筛选、生长工艺优化以及外延缺陷控制等多个关键环节。>
以ChatGPT为标志的生成式人工智能技术持续突破性发展，伴随全球数据量呈现海量积累态势，正引发算力体系重构与网络传输能力革新的双重挑战。在此背景下，铌酸锂晶体凭借其低损耗>
一、氮化镓 氮化镓是一种无机物，其化学式为GaN，英文名称为Gallium Nitride，是氮和镓的化合物，属于第三代半导体材料，通常情况下为白色或微黄色的固体粉末，具有结构稳定、熔点高、>
