1、超高耐压性

采用梯度AlGaN缓冲层设计和优化的碳掺杂工艺，使垂直击穿电压达到158V/μm的行业领先水平，可稳定支持650V-1200V高压器件工作。在新能源汽车主驱逆变器中，采用该技术的SiC MOSFET模块可使功率密度提升至50kW/L以上，同时将系统效率提高至98.5%，显著延长电动汽车续航里程。充电桩模块应用时，支持350kW大功率快充，充电效率提升至95%以上。

2、高电子迁移率

通过精确调控Al组分（28%-32%）和超薄势垒层设计（12-15nm），实现二维电子气浓度＞8×10¹³ cm⁻²，室温迁移率突破2000 cm²/V·s。在5G基站应用中，基于该材料的功率放大器（PA）在3.5GHz频段可实现＞60%的功率附加效率，输出功率＞200W，相比传统LDMOS方案功耗降低25%，有效解决毫米波通信的散热难题。

3、低成本优势

创新采用8英寸硅基GaN-on-Si技术，通过优化的应力控制缓冲层（厚度＜1μm），使晶圆成本较碳化硅基降低70%。在65W PD快充领域，该方案将BOM成本压缩至$5以下，推动GaN快充市场渗透率突破40%。工业电源应用时，系统级成本下降30%的同时，功率密度提升3倍。

4、大尺寸兼容性

开发了针对8英寸硅衬底的特有翘曲控制技术（＜30μm），配合创新的边缘保护工艺，实现＞90%的良品率。单条产线年产能超5000片，可满足年供50万辆电动汽车的芯片需求。最新研发的12英寸工艺样片已通过可靠性验证，为下一代产能扩展奠定基础。

5、高温稳定性

采用新型钝化层材料和T型栅结构，使器件在＞200℃环境温度下仍保持稳定性能，开关损耗降低30%。在数据中心电源模块中，允许工作温度提升至105℃，功率密度达100W/in³；光伏逆变器应用时，MPPT效率＞99.5%，系统寿命延长至25年以上。

6、高效率特性

通过单片集成整流和降压电路，实现＞95%的峰值转换效率。在100W无线充电模组中，充电效率达92%，比传统方案提升7个百分点，同时体积缩小60%。最新研发的240W快充方案，支持0-80%充电仅需15分钟，温升控制在＜35℃。



 

硅基氮化镓外延片与技术关联

1、碳化硅协同技术

技术关联：通过创新性开发GaN-on-SiC复合结构，在4H-SiC衬底上异质外延生长高质量GaN薄膜（厚度2-5μm）。该技术利用SiC优异的导热性（490W/m·K），使射频器件的热阻降低40%，在28GHz工作频率下，功率密度提升至8W/mm以上。特别适用于5G毫米波基站功放模块，可显著改善器件在连续波模式下的热稳定性，结温波动控制在±5℃以内。

2、蓝宝石基GaN延伸

技术关联：采用图形化蓝宝石衬底（PSS）技术，在2-6英寸蓝宝石上外延生长GaN器件层。通过优化AlN成核层（厚度＜50nm）和应变调控技术，实现穿透位错密度＜5×10⁸ cm⁻²。该方案兼具高性价比和高性能优势，既可用于150W级高功率LED芯片制造（光效＞200lm/W），又能满足Sub-6GHz射频前端模块需求（fT＞80GHz），成本较SiC基降低60%。

3、SOI集成方案

技术关联：基于8英寸SOI（埋氧层厚度1μm）衬底开发GaN-on-SOI技术，通过介质隔离将寄生电容降低至0.15pF/mm²以下。结合深槽隔离工艺，使器件截止频率（fmax）突破180GHz，噪声系数＜1dB@28GHz，完美适配毫米波相控阵天线应用。该技术已成功应用于77GHz车载雷达芯片，探测距离提升30%的同时，将模块尺寸缩小50%。

知明服务
 

1. 定制化外延：支持电压（650V-1200V）、晶向（X/Y切型）定制。

2. 精密加工：提供＜1μm线宽的干法刻蚀与激光切割服务。

3. 技术协同：联合开发HEMT器件PDK，提供流片验证支持。

4. 检测认证：SEMI标准参数报告（翘曲度、缺陷密度等）。