氧化铝陶瓷基板——“技术成熟·成本可控·赋能高效能半导体器件”氧化铝陶瓷基板通过厚膜/薄膜工艺实现高精度电路集成,热膨胀系数(7.1 ppm/K)与硅芯片高度匹配,可显著降低热应力。其广泛用于IGBT模块、LED散热基板、混合集成电路等领域,支撑新能源汽车、智能电网等产业升级。上海知明科技依托DPC(直接镀铜)和DBC(直接键合铜)工艺,提供定制化基板解决方案,助力国产半导体产业链突破技术瓶颈。
氧化铝陶瓷基板特性与典型应用

1. 高绝缘性
氧化铝陶瓷基板具有>15 kV/mm的高击穿电压,能有效耐受高电压冲击,确保电路安全隔离。这一特性使其可应用于电力电子模块封装,如IGBT功率器件的绝缘隔离层。

2. 优异耐高温性
耐火温度高达1600℃,在高温环境下仍能保持稳定的物理化学性能。特别适合应用于航天器电子元件基板等极端热环境场合。

3. 出色化学稳定性
具有优异的抗酸碱腐蚀性能,能有效保护电路免受化学侵蚀。这一特性使其成为工业传感器封装的首选材料,可显著延长设备使用寿命。

4. 良好热匹配性
热膨胀系数与Si、SiC等半导体材料匹配,能有效减少界面热应力。主要应用于混合集成电路基板,提高器件可靠性。

5. 稳定介电性能
具有低介电损耗特性,适配高频信号传输需求。可应用于5G基站射频前端模块等高频电子器件。

6. 优异耐磨性
表面硬度高,耐磨性能出色。这一特性使其特别适合用于汽车氧传感器等需要在恶劣环境下长期工作的应用场景。
知明半导体材料与技术关联

1. 与第三代半导体结合
技术优势:通过DBC工艺实现与SiC器件的低热阻键合,散热效率提升30%。

2. 金属化工艺创新
材料关联:采用钨/钼金属层,表层镀金增强焊接性,适配高功率封装需求。

3. 多层共烧技术
技术突破:支持90%-99%氧化铝含量基板定制,满足薄膜/厚膜电路集成需求。

4. 复合基板开发
场景拓展:与氮化铝复合,平衡导热性与成本,扩展至核能设备散热。
知明服务
1. 全流程定制
支持氧化铝含量(75%-99%)、厚度(0.1-2mm)及表面金属化(Cu/Ag/Au)定制。
2. 精密加工能力
激光钻孔精度±5μm,表面抛光粗糙度Ra≤0.1μm,适配微米级电路设计。
3. 联合研发支持
与高校合作开发HTCC(高温共烧陶瓷)技术,提供封装设计-测试一体化方案。
4. 环保工艺
采用无氰电镀和低温烧结工艺,降低能耗30%,符合RoHS标准。