氮化铝陶瓷基板：高导热、高可靠性的第三代半导体核心材料
上海知明氮化铝（AlN）陶瓷基板凭借其超高热导率（≥170 W/(m·K)）、低介电常数、与硅匹配的热膨胀系数（2.8×10⁻⁶/℃）以及优异的化学稳定性，成为大功率集成电路、5G通信、航空航天等领域的关键散热与封装材料。其结合高温共烧技术（HTCC）可实现高密度三维集成，突破传统散热瓶颈。
电子
电子
上海知明氮化铝（AlN）陶瓷基板凭借其超高热导率（≥170 W/(m·K)）、低介电常数、与硅匹配的热膨胀系数（2.8×10⁻⁶/℃）以及优异的化学稳定性，成为大功率集成电路、5G通信、航空航天等领域的关键散热与封装材料。其结合高温共烧技术（HTCC）可实现高密度三维集成，突破传统散热瓶颈。
氮化铝陶瓷基板特性与典型应用
1. 超高导热性
氮化铝陶瓷基板具有≥170 W/(m·K)的超高热导率，是传统氧化铝基板的8倍，能快速导出芯片工作时产生的热量。这一特性使其可应用于5G基站GaN功率器件的封装，可降低结温达40%。
2. 优异的热匹配性
其4.5×10⁻⁶/℃的热膨胀系数与Si、SiC等半导体材料高度匹配，能有效减少界面热应力。特别适合应用于卫星通信系统等对热稳定性要求极高的领域。
3. 出色的机械性能
抗弯强度高达380MPa，兼具优异的耐磨性和抗冲击性，能够在振动、冲击等严苛环境下保持稳定。这一特性使其成为新能源汽车电机控制模块的理想基板材料。
4. 卓越的绝缘性能
击穿电压＞15kV/mm，具有极佳的电绝缘性能，可确保高压电路的安全运行。主要应用于高压IGBT模块等需要高绝缘性能的场合。
5. 稳定的化学性能
具有优异的耐酸碱腐蚀性能，在2000℃高温下仍能保持性能稳定。这一特性使其可应用于MEMS传感器等需要长期稳定工作的精密器件封装。
产品与技术关联
知明愿景
上海知明科技致力于成为全球领先的氮化铝基板解决方案供应商，通过持续创新推动第三代半导体器件向更高功率密度、更小尺寸、更长寿命发展，助力中国高端制造业突破技术封锁，引领全球智能产业升级。
